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技术支持
单层芯片电容的焊接
发布者 : admin 发布时间 : 2021/08/24 09:08:56


SLC单层芯片电容具有体积小、容量大、应用频率高等特点,被广泛应用于电子、雷达、导航和卫星通讯等方面。传统的单层芯片电容中间为介质层,上下各一层电极层,下电极采用金锡合金或铅锡合金等焊料焊接于电路中,上电极采用金丝键合技术与其他电路元件相连。

目前,单层芯片电容金锡焊料的制备工艺,要么材料利用率低,大大增加了生产成本;要么工艺难度系数高,对电镀槽液成份和温度的控制要求很高,并且存在电镀液污染等问题,很难满足环保要求。为了解决上述现有技术中存在的问题,伟德betvlctor最新版本介绍一款带有金锡焊料的单层芯片电容,其包括金锡焊料层、下电极层、介质层、上电极层。该芯片电容可提高封装效率,降低封装成本;工艺简单,速度可控,生产成本低;全程无污染,而且所制成的金锡焊料在高温焊接时性能优良,保证了产品的稳定性,适用于工业化生产。

带有金锡焊料的单层芯片电容的具体制备步骤如下:

一、制备陶瓷基片并清洗烘干;

二、采用蒸镀或溅射的方式在陶瓷基片上下表面形成电极层;

三、将形成上下电极的陶瓷基片放入真空溅射机内,采用直流溅射的方式溅射金锡焊料层,基片采用自转和公转方式;

四、溅射金锡焊料层,靶材采用金与锡的质量比为80:20的金锡合金,腔体加热温度为100~500℃,真空度为10-6-10-7mTorr,功率为500W~4000W,时间为50s~1000s,采用X光机或台阶仪监测溅射膜厚,同时采用在线监测系统实时监测溅射膜厚;

五、根据不同陶瓷基片性能的要求,部分基片只需在上电极或下电极表面单面溅射金锡焊料层,部分基片需正反两面溅射;

六、金锡焊料层溅射完毕后关掉加热装置,充入气体,取出半成品;

七、将半成品进行常规的光刻、刻蚀、电镀、清洗等工艺处理;

八、切割、测试、分选;

九、产品包装。





参考数据:

CN110400696A《一种带有金锡焊料的单层电容器的制造工艺》

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