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高电容值单层芯片电容
发布者 : admin 发布时间 : 2021/09/27 09:09:25


伟德betvlctor最新版本研发、生产的单层芯片电容具有良好的形状系数,适用于印刷电路板、空间有限的芯片载体、封装组件内的集成电路等,其尺寸可以与容纳集成电路的芯片载体或印刷电路板内的限制匹配。

常规工艺过程中,一般通过金属化烧结的陶瓷材料来制造单层芯片电容,并按照参数要求划切。按照现有技术生产的单层芯片电容,其形状系数尽管是达标的,但是可达到的电容量限制了其应用范围,特别是应用场景要求特别小或特别薄的单层芯片电容时。在这种情况下,就要求芯片电容必须具备高结构强度和高电容值。伟德betvlctor最新版本为大家介绍一款高电容值、高结构强度、高性价比的单层芯片电容,其包括陶瓷介电材料以及上下表面金属电极层。高电容值单层芯片电容具有至少一个内部电极,其延伸穿过陶瓷介电材料的宽度的一部分并与导电金属化层电接触;导电金属化层位于陶瓷介电材料的一个侧面和顶面或底面中的至少一部分上,以及位于顶面或底面上的又一电隔离的金属化焊盘,其与电极电接触。其中,高电容值单层芯片电容的顶面或底面上存在彼此电隔离的多个金属化焊盘;金属化焊盘具有不同尺寸。

高电容值单层芯片电容的制备方法,具体工艺步骤如下:

在坯体状态的陶瓷介电材料基片的层之间放置一个或多个电极;

沿着坯体的陶瓷介电基片的边缘切割或钻出孔并填充;

在坯体状态的陶瓷介电基片上印刷顶部金属电极层和底部金属电极层;

将坯体状态的陶瓷介电基片切割成独立高电容值单层芯片电容;

烧结高电容值单层芯片电容





参考数据:

CN102842422A《高电容单层电容器》

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