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单层芯片电容的制备
发布者 : admin 发布时间 : 2021/10/27 09:10:02


为适应电子元件微型化、集成化以及高频化发展趋势,单层芯片电容(SLC,Single Layer Capacitor)受到越来越多的青睐。单层芯片电容的结构包括单层陶瓷介质层和分别位于陶瓷介质层相对的两个表面的上电极层和下电极层。与多层芯片电容相比,单层芯片电容在工作时的电流路径更远,在射频、微波下的等效串联电阻和等效串联电感更低,从而具有更高的自谐振频率和品质因数。

但是,单层芯片电容厚度薄,采用现有的烧结工艺容易发生变形问题,影响成品平整度和性能。现有的加工电极层工艺一般是厚膜印刷电路方式,加工得到的电极层难以实现超薄的厚度,不利于实现单层芯片电容的微型化,而且电极材料损耗较大。采用一般的机械切割方式极易使芯片电容碎裂,成品率低。为了解决上述问题,伟德betvlctor最新版本为大家介绍一种款单层芯片电容,其性能优良,成品率高。

该单层芯片电容的制备方法,包括瓷浆制备、陶瓷生片制备、烧结、清洗、附着电极层、切割。其中,烧结曲线由升温排胶段、快速升温段、高温段、保温段、降温段组成。室温至400℃为升温排胶段,升温速率控制在0.8~1.5℃/min;400℃~1000℃为快速升温段,升温速率控制在3.5~5℃/min;1000℃至最高烧温为高温段,升温速率控制在2~3℃/min;温度达到最高烧温时进入保温段,最高烧温为1250~1320℃,保温时间为2~3小时;降温段的降温速率控制在4~5℃/min。电极层通过真空溅射工艺在陶瓷介质主体的上、下表面分别附着单层或多层金属电极层;真空溅射时,真空度控制在5×10-3×10-3Pa,温度控制在常温至60℃,靶材溅射电流控制在1A-5A。切割采用激光切割,激光切割的切割速率为100mm~200mm/s,功率为5~12W,重复切割次数为1~4次。

这款单层芯片电容厚度薄、尺寸小,并具有超低的串联等效电阻和串联等效电感,可被应用于混合微波集成电路、单片微波集成电路等。该单层芯片电容通过采用真空溅射工艺加工电极层,各电极层间均保证良好的接触,使产品具有超低的ESR值,能显著提高微波电路的有效增益,降低插入损耗。真空溅射工艺得到的电极层极薄,给产品厚度带来的增加几乎可忽略,满足单层芯片电容的微型化要求,并节约电极材料。通过采用激光切割方式切割芯片电容,可根据所需要的外围尺寸设定切割步距,精度高且芯片电容不易碎裂,有效解决一般机械切割方式易损伤单层芯片电容的问题。





参考数据:

CN102013320A《一种单层芯片电容及其制备方法》

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