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高介电常数SLC单层芯片电容
发布者 : admin 发布时间 : 2022/05/30 09:05:15


在现代电子领域的发展中,电子装置的小型化和多功能化已经成为发展趋势,电子领域对片式电子元器件的需求日益递增,从而带动了SLC单层芯片电容的飞速发展。晶界层半导体陶瓷材料具有温度特性好、介电常数高以及频率特性好等优点,在单层片式半导体陶瓷材料中占据重要地位。现有晶界层半导体陶瓷材料的制作工艺一般为:

材料配比→与去离子水混合→烘干→粉碎→煅烧→过筛→加添加剂→混合→流延成膜→排胶→在氢氮混合气体中还原→涂覆氧化剂,空气气氛中氧化,烧结→单层芯片电容用基片。

这种工艺制得的晶界层大多添加了镉和铅等重金属,在生产和使用的过程中对环境的污染极大。针对现有技术的缺陷,伟德betvlctor最新版本介绍一款高介电常数SLC单层芯片电容,其晶界层半导体陶瓷材料不含镉和铅等重金属,具有对环境污染少、介电常数高等优点。高介电常数SLC单层芯片电容的晶界层半导体陶瓷材料,按重量百分比由60~69% SrCO3、30~38% TiO2以及0.2~3%添加剂制成。具体的制备方法如下:

一、按配比将SrCO3与TiO2配好料后,加入去离子水,采用球磨机进行混合球磨,球磨浆料中粉料、磨球和去离子水的重量比为1:5:1~1.5,球磨时间为2~3小时,然后烘干、粉碎;

二、在1200℃~1300℃中将粉料煅烧3~4小时,然后粉碎、过筛;

三、在粉料中加入添加剂,加入去离子水,采用球磨机来进行混合球磨,球磨浆料中粉料、磨球和去离子水的重量比为1:5:1~1.5,球磨时间为3~4小时,然后烘干、粉碎、过60目筛;

四、在20~30MPa压力下将粉料压制成尺寸为50mm*50mm的锭子,再经过烧结得到陶瓷体,烧结的条件为:先在氢氮混合气氛中以1300℃~1400℃温度保温烧结4~5小时,然后降温至1000±50℃,并通入空气保温烧结3~6小时;

五、按所需厚度对陶瓷体切片,得到单层芯片电容用陶瓷基片;

六、通过印刷或溅射的方式对陶瓷基片进行金属化处理,在陶瓷基片上形成金属电极;

七、利用划片机对陶瓷基片进行划切,得到单层芯片电容;

八、对制得的单层芯片电容进行电性能测试。

高介电常数单层芯片电容通过ZnO、CaCO3、Li2CO3、B2O3、CuO、La2O3、SiO2和Bi2O3等添加剂合理配比,在晶界上形成稳定且绝缘良好的晶界层,故无需涂覆绝缘氧化物也可以达到同样的绝缘性能。另外,通过调整烧结工艺,一次烧结出性能优良陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料,不需要采用涂覆绝缘氧化物的二次烧结方法,降低了生产的成本,而且符合单层芯片电容小型化和容量高的发展趋势,以满足日益提高的技术需要。





参考数据:

CN114334444A《一种单层陶瓷电容器晶界层半导体陶瓷材料及其制备》

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