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高电容值单层芯片电容的制备方法
发布者 : admin 发布时间 : 2022/08/30 09:08:11


常规的单层芯片电容其结构为陶瓷介质层的上、下表面分别印刷金属电极,形成普通平行板电容的结构,从而获得相应电容量。该结构由于受到电容尺寸以及陶瓷材料的介电特性(包括介电常数、温度特性等)的限制,当其外形尺寸和采用的陶瓷材料确定时,其电容量也就固定了。因此,很多应用场景受限于装配空间,芯片电容的外形尺寸已固定,如采用常规单层芯片电容,就容易出现实际电容量小于应用所要求的电容量。

为了解决上述问题,伟德betvlctor最新版本为大家介绍一款既能满足外形尺寸要求,又能有效增大电容容量的单层芯片电容,其电容量远高于具有相同陶瓷材料及外形尺寸的常规单层芯片电容。该芯片电容具有内部互连结构,包括陶瓷介质层、内电极以及外电极。其中,陶瓷介质层内含有两个相对设立的内电极,上、下表面设有外电极;外电极通过设在陶瓷介质层上的互连孔与内电极电气互连。其制备方法具体如下:

一、陶瓷材料生坯在流延后经过叠片、预压,分别制得上层陶瓷基片、下层陶瓷基片和中部陶瓷基片;

二、上层陶瓷基片和下层陶瓷基片表面覆盖蓝膜,分别对其进行打孔处理,得到贯通的互连孔;中部陶瓷基片进行打孔处理,得到定位孔,然后对上层陶瓷基片和下层陶瓷基片的互连孔进行金属化填孔,并去除蓝膜;

三、分别在上层陶瓷基片和下层陶瓷基片的一面印刷内电极;

四、将下层陶瓷基片放置在下层压板上,按顺序在下层陶瓷基片上叠放中部陶瓷基片、上层陶瓷基片、上层压板,叠放时印刷有内电极的一面朝内,然后进行层压处理,层压后对制品进行烧结得到陶瓷介质层;

五、采用溅射或涂覆工艺在陶瓷介质层上、下表面分别印刷金属电极,得到具有内部互连结构的单层芯片电容。

这款SLC单层芯片电容增加了内电极,因间距小从而可得到大电容量的芯片电容。通过上、下陶瓷介质层中的互连孔实现内外电极的电气连接,从而保证了电容的外形尺寸。相比如常规单层芯片电容,该芯片电容的设计结构简单,可靠性高,产品性能优越。





参考数据:

CN103515093A《一种具有内部互连结构的片式电容及其制备方法》

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