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技术支持
高可靠单层芯片电容
发布者 : admin 发布时间 : 2023/01/05 09:01:16


单层芯片电容被广泛应用于微波通讯、微波功率放大器、微波集成电路等,起到隔直通交、RF旁路、滤波、调谐等作用。现有的单层芯片电容的制备工艺为:陶瓷粉料配料→球磨→等静压成型→烧结陶瓷锭→切片→丝网印刷法印刷银浆→烘干→烧银→划切。然而,使用银电极和采用丝网印刷法存在以下几个问题:

一、银浆在丝网印刷和烘干过程中容易受到污染,且得到的银电极容易氧化、发黄发黑,造成产品的稳定性和可靠性较差;

二、前期制备银浆和后期烘干银浆、烧结银电极的工序较为繁琐;

三、印刷制得的银电极层厚度较大且在陶瓷基片的表面上覆盖不均匀,在划切过程中容易起皮和产生毛刺,银浆材料损耗较多;

四、银层在高温烧结时会重新结晶,晶型改变从而性能发生改变,造成产品电气性能下降;

五、在高温烧银过程中排放的气体对环境造成污染。

为解决上述问题,伟德betvlctor最新版本介绍一款高可靠Ir-Cu-Au复合电极单层芯片电容,其具有稳定性好、可靠性高、不易老化、耐冷热冲击等优点。具体制备方法如下:

1)制备陶瓷基材

按常规单层芯片电容陶瓷配方配得陶瓷粉末,再对陶瓷粉末进行球磨、等静压成型、烧结、切片,得到片状的陶瓷基材。

2)一次清洗

使用清洗液处理陶瓷基材,再使用超声波机清洗,清洗时间为5±1分钟,然后烘干,烘干温度为100±5℃,烘干时间为30±5分钟。

3)二次清洗

将一次清洗得到的陶瓷基材放到等离子清洗机中进行二次清洗,清洗时间为5±1分钟,烘干温度为100±5℃,烘干时间为30±5分钟,同时活化表面。

4)溅射铱层

先将真空溅射镀膜机抽真空到工艺范围,再充入氩气作为工作气体,以铱作为靶材,在电场作用下,Ar+加速轰击靶材,将靶材原子溅射到陶瓷基材上,在陶瓷基材的两表面上分别溅射一层铱层,溅射厚度为0.01~2微米。

5)溅射铜层

先将真空溅射镀膜机抽真空到工艺范围,再充入氩气作为工作气体,以铜作为靶材,在电场作用下,Ar+加速轰击靶材,将靶材原子溅射到陶瓷基材上,在陶瓷基材两表面的铱层表面上分别溅射一层铜层,溅射厚度为0.01~2微米。

6)溅射金层

先将真空溅射镀膜机抽真空到工艺范围,再充入氩气作为工作气体,以金作为靶材,在电场作用下,Ar+加速轰击靶材,将靶材原子溅射到陶瓷基材上,在陶瓷基材两表面的铜层表面上分别溅射一层金层,溅射厚度为0.01~1微米。

7)对陶瓷基材进行划切,得到单层芯片电容





参考数据:

CN111180203A《一种高精度高可靠Ir-Cu-Au复合电极芯片电容》

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