伟德·betvlctor(最新VIP认证)网站-正版App Store

QQ在线客服
首页 >技术支持 > 芯片电容
技术支持
单层芯片电容材料制备
发布者 : admin 发布时间 : 2023/03/07 09:03:21


单层芯片电容的优良微波频率、高介电常数,使其被广泛应用于微波器件、射频器件、LED等需要微组装工艺的电子设备中。常规的单层芯片电容为获取高介电常数,其瓷体晶粒必须≥30μm,这就容易导致高温高湿环境下,水汽容易吸附在侧壁晶界上,导致单层芯片电容绝缘电阻下降。

针对现有技术的不足,伟德betvlctor最新版本介绍一款单层芯片电容,其性能优良,解决了单层芯片电容在高温高湿环境下绝缘电阻下降的问题。这款单层芯片电容晶界层的材料配比为TiO2 60~65%、SrCO3 33~39%、La2O3 0.2~2.5%,配方中还包括添加剂,所述添加剂为Ta2O3、Nb2O3、Al2O3、SiO2、MnCO3或CuO中的一种或两种以上组成。具体的制备方法如下:

一、将材料按百分比配好后加入去离子水进行混合10~20小时,然后烘干、粉碎;

二、将粉碎好的材料在1200℃~1300℃下煅烧2~3小时,然后粉碎过筛; 

三、将过筛后的材料加入添加剂,其比重占总重量的0.1~1.5%,混合10~20小时后进行流延成膜;

四、将膜片在空气中,500℃~1200℃下排胶10~40小时;然后在7%~15%氢含量的氢氮混合气中1400℃~1450℃下还原2~3小时;最后在烧结片上涂覆氧化剂,在空气气氛中750~℃1200℃下氧化20~180分钟,得到烧结后的单层芯片电容用基片;

五、将基片进行清洗和溅射钛钨、镍、金,然后电镀金,得到金属化基片;

六、将金属化基片进行切割,得到所需要大小的小基片;

七、将切割好的小基片用离心机甩干,然后放入烘箱中在150℃~250℃的温度下进行固化处理,得到单层芯片电容





参考资料:

CN102320827B《单层电容器晶界层材料、基片的制作方法、以及单层电容器的方法》

上一篇 : 单层芯片电容SLC的发展历史

下一篇 : 没有了

mqu.cn site.nuo.cn
XML 地图