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打线门极电阻,助力SiC碳化硅模块性能提升
发布者 : admin 发布时间 : 2024/04/28 09:04:18


近年来,在国家相关政策支持下,应用于新能源领域的功率模块迎来了增长新契机。而SiC碳化硅模块以其卓越性能,成为新能源核心赛道的“佼佼者”。碳化硅模块的性能提升对于新能源热管理优化至关重要,而伟德betvlctor最新版本研发、量产的打线门极电阻,在碳化硅模块性能升级过程中的作用不可或缺。

相较于传统的功率模块,SiC碳化硅模块凭借其宽禁带在高频率、高电流、高温、高压等工作环境中展现出高击穿场强、低功率损耗、高开关频率等优越性能。由于新能源对于功率模块有着更高的性能要求,打线门极电阻能够帮助碳化硅模块提高工作效率,迎合行业需求。其主要优势在于:

一、低电阻温度系数(TCR,Temperature Coefficient Of Electric Resistance):这意味着在温度波动环境下,打线门极电阻的电阻值受温度影响小,这对于需要稳定运行的碳化硅模块尤为重要;

二、高精度:打线门极电阻的精度可达1%,有助于提升碳化硅模块运行时的精确度;

高稳定:打线门极电阻在高温环境下的老化漂移率低,保证了碳化硅模块长期工作的高可靠。

具体地,打线门极电阻在碳化硅模块中通过邦定工艺与SiC芯片进行电连接,有效消除导通时源极电感对栅极电压的影响,碳化硅模块不会因此降低开关导通速度,从而可减少导通损耗。且门极电阻尺寸小,在模块设计布局中能够提高空间利用率,使功率密度更高。打线门极电阻凭借其出色的产品特性,为碳化硅模块的设计和性能优化提供了有力的支持。

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